Hola y mil gracias por leerme. Te habla Jordi Oriol y en el día de hoy te voy a hablar sobre Diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de alto rendimiento – Calendae
Los diodos SiC de MCC son adecuados para inversores de control solar y de movimiento, UPS, estaciones base Telekom, PFC e iluminación
Los diodos SiC Schottky de alto rendimiento de Micro Commercial Components proporcionan un rendimiento de alta eficiencia y altas temperaturas de hasta + 175 ° C. Estos diodos, junto con los MOSFET de superunión de 650 V, crean una solución discreta completa y rentable. Estos diodos de SiC están disponibles en versiones de 650V (2A / 4A) y 1200V (2A / 5A / 10A / 20A). Los paquetes disponibles (TO-220, TO-247 y DPAK), otros niveles actuales y carcasas se encuentran en fase de calificación. Las aplicaciones típicas de estos diodos de SiC son inversores de control solar y de movimiento, UPS, estaciones base Telekom, corrección del factor de potencia (PFC) y aplicaciones de iluminación.
Caracteristicas
- Pérdida de conmutación extremadamente baja
- Mayor frecuencia de conmutación
- Coeficiente de temperatura positivo para aplicación en paralelo
- Mayor eficiencia que los diodos Schottky estándar
- Mayor temperatura de trabajo hasta + 175 ° C
- Mayor voltaje hasta 1200 V.
Aplicaciones
- Inversor para controles solares y de movimiento
- UPS
- Estaciones base Telekom
- Aplicaciones de iluminación y PFC
más información: mccsemi.com
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