Diseño de referencia del controlador de puerta MOSFET de SiC de doble canal - Calendae - Calendae | Informática, Electrónica, CMS, Ciberseguridad

Diseño de referencia del controlador de puerta MOSFET de SiC de doble canal – Calendae

Hola y mil gracias por leerme. Yo soy Jordi Oriol y en esta ocasión hablaremos sobre Diseño de referencia del controlador de puerta MOSFET de SiC de doble canal – Calendae

Esta diseño de referencia es una solución de controlador de puerta aislada calificada para automóviles para impulsar MOSFET de carburo de silicio (SiC) en una configuración de medio puente. El diseño incluye dos fuentes de alimentación de polarización push-pull para el controlador de puerta aislada de doble canal respectivamente, y cada fuente de alimentación proporciona un voltaje de salida de + 15 V y -4 V y una potencia de salida de 1 W. El controlador de puerta es capaz de proporcionar una fuente de 4A y una corriente de absorción máxima de 6A. Implementa aislamiento reforzado y puede soportar voltaje de aislamiento pico de 8kV y 5.7kV RMS e inmunidad transitoria de modo común (CMTI)> 100V / ns. El diseño de referencia contiene el circuito de apagado de dos niveles que protege al MOSFET de sobretensiones durante el escenario de cortocircuito. El umbral de detección DESAT y el tiempo de retardo para el apagado de la segunda etapa son configurables. El aislador digital ISO7721-Q1 se implementa para interconectar las señales de falla y restablecimiento. Todo diseñado en una placa PCB de dos capas con un factor de forma compacto de 40 mm × 40 mm.

[source: http://www.ti.com]

No te olvides compartir en tus redes sociales para que tus colegas lo disfruten

??? ? ? ???

Comparte