Dispositivos de memoria no volátiles Cypress Semiconductor Serial FRAM - Calendae - Calendae | Informática, Electrónica, CMS, Ciberseguridad

Dispositivos de memoria no volátiles Cypress Semiconductor Serial FRAM – Calendae

Hola, un placer verte por aquí. Yo soy Jordi Oriol y hoy hablaremos sobre Dispositivos de memoria no volátiles Cypress Semiconductor Serial FRAM – Calendae

Las memorias Cypress Semiconductor Serial F-RAM (RAM ferroeléctrica) combinan la capacidad de almacenamiento de datos no volátiles de la ROM con las altas velocidades de la RAM. Serial F-RAM ofrece una variedad de opciones de interfaz y densidad, incluidas interfaces SPI e I2C, paquetes estándar de la industria y densidades que van desde 4 KB a 4 MB. Las F-RAM serie Cypress tienen tres ventajas distintas sobre otras tecnologías de memoria no volátil: velocidad de escritura rápida, resistencia extremadamente alta, es bajo consumo de energía. Proporcionan F-RAM seriales Ciclo de 100 billones resistencia, superando el límite de 1 millón de ciclos de escritura EEPROM. Esto elimina la necesidad de nivelar el desgaste para soportar un producto durante su vida.

F-RAM proporciona escrituras rápidas a la velocidad de interfaz completa. F-RAM no tiene retrasos de escritura y los datos son instantáneamente no volátiles. Las memorias no volátiles tradicionales tienen retrasos de 5 milisegundos o más antes de que los datos se vuelvan no volátiles. Si se interrumpe la energía, los datos pendientes se pierden a menos que el sistema tenga capacidad adicional o baterías para mantener el sistema encendido hasta que se almacenen los datos.

F-RAM ofrece una vida virtualmente ilimitada de 100 billones de ciclos de lectura / escritura. Las memorias no volátiles tradicionales suelen tener menos de 1 millón de ciclos de vida, lo que obliga a los diseñadores de sistemas a utilizar complejas rutinas de nivelación del desgaste y hasta 4 veces más densidad para prolongar la vida de estas memorias.

F-RAM consume hasta 300 µA activo e 6 µA corriente de espera. Debido a las altas velocidades de escritura, F-RAM permanece activa durante cortos períodos de tiempo, lo que produce un consumo de energía muy bajo. Las memorias no volátiles tradicionales con retrasos de escritura deben permanecer activas durante períodos de tiempo más largos, lo que resulta en un mayor consumo de energía.

Serial F-RAM ofrece compatibilidad pin-to-pin y huella EEPROM reemplazo.

Los dispositivos están fabricados con un material ferroeléctrico altamente resistente a la influencia de la radiación y la exposición a campos magnéticos. Esto proporciona inmunidad a la tasa de error suave para una alternativa superior a MRAM. Estos dispositivos F-RAM se utilizan normalmente en aplicaciones de misión crítica. Esto incluye medidores inteligentes, electrónica automotriz, equipos de automatización y control industrial, impresoras multifunción y dispositivos médicos portátiles.

Características principales de Cypress F-RAM

  • Densidad de 4Kb a 4Mb
  • Opciones de interfaz serial QSPI, DSPI, SPI e I2C
  • Opciones de interfaz paralela
  • Baja potencia, adquisición de datos instantánea en caso de pérdida de energía
  • 100 billones de ciclos de lectura / escritura
  • No se necesitan baterías para almacenar datos de pérdida de energía; RoHS
  • Tolerante a la radiación y a los campos magnéticos
  • Compañeros de procesador con funciones analógicas y digitales integradas

Tecnología F-RAM

Cypress F-RAM se basa en Tecnología ferroeléctrica. El chip F-RAM contiene una fina película ferroeléctrica de titanato de circonato de plomo, comúnmente conocida como PZT. Los átomos en el PZT cambian la polaridad en un campo eléctrico, produciendo así un interruptor binario energéticamente eficiente. Sin embargo, el aspecto más importante del PZT es que no se ve afectado por cortes de energía, lo que convierte a F-RAM en una memoria confiable no volátil. Un error común es que los cristales ferroeléctricos son ferromagnéticos o tienen propiedades magnéticas similares. De hecho, los materiales ferroeléctricos cambian en un campo eléctrico y no se ven afectados por los campos magnéticos.

Resumen de video

SOLUCIONES CYPRESS F-RAM ™ [PDF]

más información sobre: www.cypress.com

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