El primer módulo de relé FET MOS "G3VM-21MT" del mundo con relé de estado sólido en "estructura de circuito tipo T" - Calendae - Calendae | Informática, Electrónica, CMS, Ciberseguridad

El primer módulo de relé FET MOS «G3VM-21MT» del mundo con relé de estado sólido en «estructura de circuito tipo T» – Calendae

Hola y mil gracias por leerme. Yo soy Jordi Oriol y en el día de hoy te voy a contar sobre El primer módulo de relé FET MOS «G3VM-21MT» del mundo con relé de estado sólido en «estructura de circuito tipo T» – Calendae

OMRON Corporation de Kyoto, Japón occidental, lanzó a nivel mundial su nuevo módulo de relé MOS FET (* 1) «G3VM-21MT» el 2 de diciembre de 2019.

El producto es el primer componente electrónico del mundo (2) que adopta una “estructura de circuito tipo T” (3). Con una estructura de circuito tipo T que consta de relés de estado sólido de tamaño compacto y ciclo de vida más largo que emiten señales sin contacto físico, el módulo de relé minimiza la corriente de fuga (* 4) que ha sido larga un problema con el equipo de prueba de semiconductores. G3VM-21MT permite mediciones de alta precisión y mejora la productividad de los componentes electrónicos.

Caracteristicas

  • Ayude a reducir el espacio de montaje de la placa de circuito de impresión con un paquete pequeño
  • Pérdida de corriente cuando la línea principal está abierta y la línea secundaria está cerrada: 1 pA (máximo) a VOFF = 20 V
  • Forma de contacto: 1a (SPST-NO) + función T-switch
  • Montaje superficial

G3VM-21MT permite la conmutación de señales de medición en equipos de prueba que se utilizan principalmente para realizar pruebas eléctricas para dispositivos semiconductores. Además del tamaño compacto y las características del relé MOS FET de ciclo de vida más largo, el G3VM-21MT es el primer módulo de relé MOS FET del mundo con «estructura de circuito tipo T» que consta de tres relés MOS FET que ayudan a reducir el corriente de fuga al nivel más bajo sin afectar la precisión de la inspección del equipo de prueba, lo que permite mediciones de alta precisión y reduce la frecuencia de mantenimiento del equipo de prueba.

En la era digital, donde las funciones de los componentes electrónicos se están diversificando y el volumen de producción está aumentando, existe una necesidad creciente de un mayor rendimiento de los equipos de prueba de semiconductores. Los relés de lengüeta mecánicos (* 5), que se han utilizado para una parte que realiza mediciones de alta precisión en equipos de prueba de semiconductores, tienen una corriente de fuga extremadamente baja pero deben reemplazarse regularmente, quizás varias veces para cada uno. un mes debido al desgaste de los contactos y la abrasión que pueden afectar la precisión de la medición. Tal trabajo de mantenimiento puede afectar sustancialmente a la eficiencia de la producción y, por lo tanto, se ha deseado durante mucho tiempo la adopción de relés de estado sólido para su ciclo de vida más largo. Hasta ahora, MOS FET Los relés se consideran inadecuados para pruebas eléctricas precisas debido a la dificultad técnica de reducir la corriente de fuga en relación con sus características y no se han utilizado en equipos de prueba que requieran una alta fiabilidad.

más información: www.components.omron.com

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