Fabricación del nuevo silicio: la electrónica de nitruro de galio podría reducir drásticamente el consumo de energía - Calendae - Calendae | Informática, Electrónica, CMS, Ciberseguridad

Fabricación del nuevo silicio: la electrónica de nitruro de galio podría reducir drásticamente el consumo de energía – Calendae

Hola y mil gracias por leerme. Te escribe Jordi Oriol y hoy te voy a contar sobre Fabricación del nuevo silicio: la electrónica de nitruro de galio podría reducir drásticamente el consumo de energía – Calendae

por Rob Matheson @ phys.org:

Un material exótico llamado nitruro de galio (GaN) se convertirá en el próximo semiconductor para la electrónica de potencia, lo que permitirá una eficiencia mucho mayor que el silicio.

En 2013, el Departamento de Energía (DOE) dedicó aproximadamente la mitad de un instituto de investigación de $ 140 millones para la electrónica de potencia a la investigación de GaN, citando su potencial para reducir el consumo global de energía. Ahora, el spin-out del MIT, Cambridge Electronics Inc. (CEI), ha anunciado una línea de transistores GaN y circuitos electrónicos de potencia que prometen reducir el consumo de energía en centros de datos, automóviles eléctricos y dispositivos de consumo en un 10-20% en todo el país. mundo para 2025.

La electrónica de potencia es una tecnología ubicua que se utiliza para convertir la electricidad en voltajes más altos o más bajos y diferentes corrientes, como en un adaptador de corriente de computadora portátil o subestaciones eléctricas que convierten voltajes y distribuyen electricidad a consumidores. Muchos de estos sistemas electrónicos de potencia se basan en transistores de silicio que se encienden y apagan para regular el voltaje pero, debido a limitaciones de velocidad y resistencia, desperdician energía en forma de calor.

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