Fujitsu Semiconductor lanza el producto ReRAM de 8 Mbit de

Fujitsu Semiconductor lanza el producto ReRAM de 8 Mbit de densidad más grande del mundo desde septiembre – Calendae

Hola y mil gracias por leerme. Te escribe Jordi Oriol y en el día de hoy hablaremos sobre Fujitsu Semiconductor lanza el producto ReRAM de 8 Mbit de densidad más grande del mundo desde septiembre – Calendae

Equipado con memoria con la corriente de lectura más pequeña de la industria, óptima para pequeños dispositivos portátiles

Fujitsu Semiconductor anunció el lanzamiento de ReRAM de 8 Mbit MB85AS8MT, que tiene la densidad más grande del mundo como producto ReRAM producido en masa, disponible a partir de septiembre de 2019. Este producto ReRAM fue desarrollado conjuntamente con Panasonic Semiconductor Solutions Co ..

los MB85AS8MT es un Compatible con EEPROM memoria no volátil con interfaz SPI que trabaja con un amplio rango de voltajes de alimentación desde 1.6V hasta 3.6V. Una de las principales características de esta memoria es una corriente promedio extremadamente baja para operaciones de lectura de 0.15mA a una frecuencia de funcionamiento de 5 MHz. Esto permite un consumo mínimo de batería cuando se monta en aplicaciones de batería con operaciones frecuentes de lectura de datos.

Debido a que se puede suministrar en un paquete de tamaño de chip de nivel de oblea muy pequeño (WL-CSP), es óptimo para dispositivos portátiles pequeños que funcionan con baterías, como audífonos, relojes inteligentes y bandas inteligentes.

Fujitsu Semiconductor ofrece varios RAM ferroeléctrica (FRAM) con mayor resistencia a la escritura y velocidades de escritura más rápidas que EEPROM y memoria flash. Nuestro MARCO Los productos se están volviendo conocidos como la memoria no volátil óptima para el registro de datos muy frecuente y la protección contra escritura contra cortes repentinos de energía. Mientras tanto, algunos clientes han solicitado memoria que usa menos corriente para operaciones de lectura porque sus aplicaciones realizan operaciones con recuentos de escritura de datos bajos y lecturas de datos muy frecuentes.

Para cubrir estas necesidades, este nuevo producto no volátil ReRAM la memoria se ha desarrollado con las dos características de «alta densidad que permite el acceso a bytes» y «corriente de lectura pequeña». Esta vez, nuestra empresa desarrolló recientemente el MB85AS8MT, con la densidad más alta del mundo en ReRAM familia en 8 Mbit. Sus especificaciones eléctricas, como controles y temporizaciones, son compatibles con EEPROM productos.

Por lo tanto, cuando se monta en aplicaciones de batería con operaciones frecuentes de lectura de datos, como leer programas específicos o leer datos de configuración, permite un consumo mínimo de batería gracias a su muy baja corriente de lectura.

El paquete es un paquete de contorno pequeño (SOP) compatible con EEPROM de 8 pines. Además, un pin muy pequeño de 11 WL-CSP El paquete de 2 mm × 3 mm está disponible para su montaje en pequeños dispositivos portátiles.

Especificaciones clave

  • Densidad de memoria (configuración): 8 Mbit (1 M palabras × 8 bits)
  • Interfaz: Interfaz periférica en serie (SPI)
  • Voltaje de suministro operativo: 1,6 V – 3,6 V
  • Frecuencia de funcionamiento: máximo 10 MHz
  • Corriente de funcionamiento de valor bajo: 0,15 mA (valor medio a 5 MHz)
  • Tiempo de ciclo de escritura: 10 ms
  • Tamaño de página: 256 bytes
  • Ciclos de escritura garantizados: 1 millón de ciclos
  • Ciclos de lectura garantizados: ilimitados
  • Retención de datos: 10 años (hasta 85 ° C)
  • Paquete: WL-CSP de 11 pines, SOP de 8 pines

más información: www.fujitsu.com

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