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GaO supera al SiC en movilidad de canales – Calendae

Hola, un placer verte por aquí. Yo soy Jordi Oriol y en el día de hoy hablaremos sobre GaO supera al SiC en movilidad de canales – Calendae

La empresa emergente Flosfia informó que su semiconductor de potencia de óxido de galio puede superar las características del carburo de silicio, pero en una configuración normalmente apagada.

Flosfia Ltd. (Tokio, Japón), fundada en 2011, es pionera en el uso de óxido de galio estructurado con corindón (α-Ga2O3) como semiconductor de potencia. La empresa afirmó haber logrado una movilidad de canal de 72 cm2 / V en funcionamiento normal, que se compara con los 30 cm2 / V del carburo de silicio.

Mientras que otros semiconductores de potencia pueden requerir que se aplique la potencia para apagar el transistor, tener una tecnología que se apaga cuando no se aplica voltaje a la puerta es una característica importante de los transistores de potencia para sistemas eléctricos seguros y protegidos.

Flosfia calculó la resistencia de activación característica de los MOSFET de GaO con un voltaje de mantenimiento de 600 V a 1200 V mediante la simulación del dispositivo y descubrió que la resistencia de activación era aproximadamente un 50% o menos que la del SiC disponible comercialmente.

Flosfia ha firmado un acuerdo con Hakuto y Kyoei Sangyo para que estas dos empresas operen dispositivos de alimentación de óxido de galio tipo corindón como distribuidores domésticos.

Más: www.flosfia.com

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