La matriz de memoria 3D cuenta con un diseno de

La matriz de memoria 3D cuenta con un diseño de más de 100 niveles – Calendae

Hola de nuevo. Yo soy Jordi Oriol y en esta ocasión vamos a hablar sobre La matriz de memoria 3D cuenta con un diseño de más de 100 niveles – Calendae

Usando la tecnología única de Samsung de «grabado de orificios de canal», el nuevo V-NAND agrega aproximadamente un 40 por ciento más de celdas a la estructura anterior de pila única 9x. Esto se logra construyendo una pila de moldes eléctricamente conductores que consta de 136 capas, luego perforando verticalmente agujeros cilíndricos de arriba a abajo, creando celdas de trampa de carga 3D uniformes (CTF).

A medida que aumenta la altura de la pila de moldes en cada área de celda, los chips flash NAND tienden a volverse más vulnerables a errores y latencias de lectura. Para superar estas limitaciones, Samsung ha incorporado un diseño de circuito de velocidad optimizada que le permite alcanzar la tasa máxima de transferencia de datos, menos de 450 microsegundos (μs) para operaciones de escritura y menos de 45 μs para lecturas. En comparación con la generación anterior, esto representa una mejora del rendimiento de más del 10%, mientras que el consumo de energía se reduce en más del 15%. Gracias a este diseño de velocidad optimizada, Samsung podrá ofrecer soluciones V-NAND de próxima generación con más de 300 capas simplemente montando tres de las pilas actuales, sin comprometer el rendimiento o la confiabilidad del chip.

Además, la cantidad de orificios de canal necesarios para crear una densidad de chip de 256 Gb ha disminuido a 670 millones de orificios de más de 930 millones con la generación anterior, lo que permite tamaños de chip más pequeños y menos pasos de proceso. Esto conduce a una mejora de más del 20% en la productividad de la producción. Después de esta introducción, la compañía planea ofrecer SSD V-NAND de tres bits y 512 Gb y eUFS en la segunda mitad de este año.

Samsung – www.samsung.com


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