Los diodos Schottky GEN2 SiC 650V ofrecen eficiencia confiabilidad y

Los diodos Schottky GEN2 SiC 650V ofrecen eficiencia, confiabilidad y gestión térmica mejoradas – Calendae

Hola, ¿qué tal colega?. Soy Jordi Oriol y esta vez vamos a hablar sobre Los diodos Schottky GEN2 SiC 650V ofrecen eficiencia, confiabilidad y gestión térmica mejoradas – Calendae

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Littelfuse, Inc. presentó hoy dos series de segunda generación de diodos Schottky de carburo de silicio (SiC) de 650 V con certificación AEC-Q101. Los diodos Schottky SiC de las series LSIC2SD065CxxA y LSIC2SD065AxxA están disponibles con una selección de clasificaciones de corriente (6A, 8A, 10A, 16A o 20A). Ofrecen a los diseñadores de electrónica de potencia una serie de beneficios de rendimiento, que incluyen una corriente de recuperación inversa insignificante, una alta capacidad de sobretensión y una temperatura de unión operativa máxima de 175 ° C, lo que los hace ideales para aplicaciones. que requieren mayor eficiencia, confiabilidad y gestión térmica.

En comparación con los diodos de unión PN de silicio estándar, los diodos Schottky SiC de la serie 650V admiten reducciones drásticas en las pérdidas de conmutación y aumentos sustanciales en la eficiencia y solidez de un sistema electrónico de potencia. Debido a que disipan menos energía y pueden operar a temperaturas de unión más altas que las soluciones basadas en Si, permiten disipadores de calor más pequeños y una huella del sistema más pequeña. Esto proporciona a los usuarios finales todos los beneficios de sistemas más compactos y energéticamente eficientes y el potencial de un menor costo total de propiedad.

Las aplicaciones típicas de los diodos Schottky SiC de la serie 650V incluyen:

  • corrección del factor de potencia (PFC),
  • Etapas reductoras / elevadoras en convertidores DC-DC,
  • diodos de rueda libre en las etapas del inversor,
  • rectificación de la salida de alta frecuencia e
  • aplicaciones de vehículos eléctricos (EV).

Estas nuevas series son nuestras primeras ofertas de diodos Schottky SiC de 650 V; Todas nuestras versiones anteriores eran dispositivos con clasificación de 1200 V, por lo que ahora podemos abordar una gama más amplia de aplicaciones y complementar aún más la cartera de MOSFET de SiC de Littelfuse «, dijo Christophe Warin, director de marketing de productos de carburo de silicio. , Unidad de Negocio de Semiconductores de Littelfuse. “Su calificación AEC-Q101 coloca a estos diodos en una clase más alta que los dispositivos similares en términos de calidad y confiabilidad.

Los diodos Schottky de SiC de 650 V ofrecen estos beneficios clave:

  • Los diodos calificados AEC-Q101 muestran un rendimiento excepcional en aplicaciones exigentes.
  • Las pérdidas de conmutación mucho más bajas que los diodos bipolares de silicio y el comportamiento de conmutación rápido e independiente de la temperatura hacen que estos dispositivos sean adecuados para la conmutación de potencia de alta frecuencia.
  • El coeficiente de temperatura positivo permite un funcionamiento seguro y una fácil conexión en paralelo.
  • La temperatura máxima de funcionamiento de la unión de 175 ° C ofrece un mayor margen de diseño y requisitos de gestión térmica relajados.

Disponibilidad
Los diodos Schottky SiC de la serie LSIC2SD065CxxA están disponibles en paquetes TO-252-2L (DPAK), en formato de cinta y carrete, con un pedido mínimo de 2500 dispositivos. Los diodos Schottky SiC de la serie LSIC2SD065AxxA están disponibles en paquetes TO-220-2L, con 50 dispositivos empaquetados en un tubo, con una cantidad mínima de pedido de 1,000 piezas. Se pueden enviar solicitudes de muestra

Para más información
Más información está disponible en
Página de producto de diodos Schottky SiC de la serie LSIC2SD065CxxA es Página del producto de diodos Schottky SiC de la serie LSIC2SD065AxxA. Si tiene preguntas técnicas, comuníquese con: Christophe Warin, Gerente de marketing de productos de carburo de silicio, Unidad de negocios Semiconductor en Littelfuse, cwarin@littelfuse.com

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