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Samsung desarrolla la primera DRAM de clase 10nm de tercera generación de la industria – Calendae

Hola de nuevo. Te habla Jordi Oriol y hoy te voy a hablar sobre Samsung desarrolla la primera DRAM de clase 10nm de tercera generación de la industria – Calendae

La nueva DDR4 de 8 Gb basada en el proceso de 1z-nm más avanzado permite soluciones DRAM con muy alto rendimiento y eficiencia energética.

Samsung Electronics, líder mundial en tecnología de memoria avanzada, anunció hoy que ha desarrollado una tercera generación Clase 10 nanómetros (1z-nm) ocho gigabits (Gb) Velocidad de datos doble 4 (DDR4) DRAM por primera vez en la industria. En solo 16 meses desde el inicio de la producción en masa de la segunda generación de DDR4 de clase 8Gb de 10 nm (1y-nm), el desarrollo de la DDR4 de 1z-nm y 8Gb sin utilizar el procesamiento Extreme Ultra-Violet ( EUV) ha empujado aún más los límites de la escala de DRAM.

A medida que 1z-nm se convierte en el nodo de proceso de memoria más pequeño de la industria, Samsung ahora está listo para responder a las crecientes demandas del mercado con su nueva DRAM DDR4, que tiene una productividad de producción más de un 20% mayor que la versión anterior de 1y-nm.

La producción en masa de la DDR4 de 1z-nm y 8Gb comenzará en la segunda mitad de este año para albergar servidores empresariales de próxima generación y PC de alta gama que se espera que se lancen en 2020.

Nuestro compromiso por superar los mayores retos de la tecnología siempre nos ha empujado hacia una mayor innovación. Estamos encantados de haber sentado una vez más las bases para la producción estable de DRAM de próxima generación que garantiza el máximo rendimiento y eficiencia energética, dijo Jung-bae Lee, vicepresidente ejecutivo de productos y tecnologías DRAM de Samsung Electronics.

A medida que desarrollamos nuestra gama de DRAM de 1z-nm, Samsung apunta a ayudar a sus clientes globales a implementar sistemas de vanguardia y permitir la proliferación del mercado de memoria premium.

El desarrollo de Samsung de DRAM de 1z-nm allana el camino para una transición de TI global acelerada a interfaces DRAM de próxima generación como DDR5, LPDDR5 y GDDR6 que impulsarán una ola de innovación digital futura. Los productos posteriores de 1z-nm con mayor capacidad y rendimiento permitirán a Samsung fortalecer su competitividad comercial y consolidar su liderazgo en el mercado DRAM premium para aplicaciones que incluyen servidores, gráficos y dispositivos móviles.

Después de la validación completa con un fabricante de CPU para módulos DDR4 de ocho gigabytes (GB), Samsung trabajará activamente con clientes globales para ofrecer una serie de próximas soluciones de memoria.

En línea con las necesidades actuales de la industria, Samsung planea aumentar la parte de su producción de memoria principal en su sitio de Pyeongtaek, mientras trabaja con sus clientes de TI globales para satisfacer la creciente demanda de productos DRAM de vanguardia.

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