Samsung presenta la tecnología de empaquetado de chips 3D-TSV de 12 capas - Calendae - Calendae | Informática, Electrónica, CMS, Ciberseguridad

Samsung presenta la tecnología de empaquetado de chips 3D-TSV de 12 capas – Calendae

Hola otra vez. Soy Jordi Oriol y en esta ocasión vamos a hablar sobre Samsung presenta la tecnología de empaquetado de chips 3D-TSV de 12 capas – Calendae

La primera tecnología de la industria, la tecnología 3D-TSV (Through Silicon Via) de 12 capas desarrollada por Samsung Electronics, le permite apilar 12 chips DRAM usando más de 60,000 agujeros TSV, mientras mantiene el mismo grosor que los chips actuales de 8 capas. Por Julien Happich @ eenewseurope.com

Desarrollada para la producción en masa de chips de alto rendimiento, la tecnología de empaque en capas requiere una precisión milimétrica para interconectar verticalmente chips DRAM a través de un patrón de orificios TSV tridimensional. El grosor del paquete (720㎛) sigue siendo el mismo que el de los productos actuales HBM2 (memoria de alto ancho de banda 2) de 8 capas, lo que representa un avance sustancial en el diseño de componentes. Esto ayudará a los clientes a lanzar productos de alta capacidad de próxima generación con capacidades de mayor rendimiento sin tener que cambiar los proyectos de configuración del sistema.

Además, la tecnología de empaquetado 3D también ofrece un tiempo de transmisión de datos más corto entre chips que la tecnología de unión de cables existente actualmente, lo que resulta en velocidades significativamente más rápidas y un menor consumo de energía. «La tecnología de empaque que protege todas las complejidades de la memoria de alto rendimiento se está volviendo extremadamente importante, con la amplia variedad de aplicaciones de la nueva era, como la inteligencia artificial (IA) y la Computación de alta potencia (HPC)», dijo. declaró Hong-Joo Baek, vicepresidente ejecutivo de TSP (Test & System Package) en Samsung Electronics.

“A medida que la escala de la ley de Moore alcanza su límite, el papel de la tecnología 3D-TSV debería volverse aún más crítico. Queremos estar a la vanguardia de esta tecnología de envasado de chips de vanguardia «.

Sobre la base de su tecnología 3D-TSV de 12 capas, Samsung ofrecerá el mayor rendimiento de DRAM para aplicaciones de alta velocidad y con uso intensivo de datos. Además, al aumentar el número de capas superpuestas de ocho a 12, Samsung pronto podrá producir en masa una memoria de alto ancho de banda de 24 gigabytes, que proporciona tres veces la capacidad de la memoria de alto ancho de banda de 8 gigabytes. GB en el mercado hoy.

Samsung – www.samsung.com

Recuerda compartir en tu Facebook para que tus colegas lo vean

??? ? ? ???

Comparte