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Un nuevo fotoprotector podría agregar años a la ley de Moore

Hola de nuevo. En el teclado Simón Sánchez y hoy vamos a hablar sobre Un nuevo fotoprotector podría agregar años a la ley de Moore

Durante las últimas cinco décadas, los microprocesadores se han vuelto más baratos y más potentes, como lo predice la famosa observación de Gordon Moore, que establece que la cantidad de transistores en un circuito integrado se duplica cada dos años. Sin embargo, los límites de la miniaturización solo pueden llegar hasta cierto punto antes de cruzar el umbral cuántico.

Actualmente quedan algunos avances por explotar a medida que la industria avanza más allá de la tecnología de proceso de 22 nanómetros, pero se necesitan nuevas herramientas para hacerlo. Una de esas herramientas imprescindibles es una sustancia química llamada fotorresistencia, a veces abreviada para «resistir», un plástico líquido sensible a la luz que se utiliza para grabar líneas y características en un chip.

Los diseñadores de chips reconocieron que se necesitaba un nuevo tipo de resistencia para soportar la reducción de las geometrías del proceso. Una colaboración formada entre Intel y Lawrence Berkeley National Lab (Berkeley Lab) del Departamento de Energía de EE. UU. Para abordar este desafío.

La investigación ha producido una resistencia muy mejorada que combina las propiedades de dos tipos de resistencia existentes y conserva las mejores propiedades de ambos, a saber, sensibilidad a la luz mejorada y estabilidad mecánica.

«Descubrimos que la mezcla de grupos químicos, incluidos los reticulantes y un tipo particular de éster, podría mejorar el rendimiento de la resistencia». Él dice Paul Ashby, científico del personal de Molecular Foundry de Berkeley Lab, una instalación para usuarios de la Oficina de Ciencias del DOE. La investigación fue escrita en la revista Nanotechnology.

El proceso de transferir imágenes a un sustrato se conoce como litografía. En la fabricación de chips, la oblea se limpia primero y luego se recubre con una capa fotorresistente. Luego, se usa luz ultravioleta para proyectar una imagen del patrón de circuito deseado, incluidos componentes como cables y transistores. La capa protectora expuesta a la luz se endurece y la parte no expuesta se lava químicamente.

El problema con la resistencia actual es que no es compatible con la nueva fuente de luz, llamada ultravioleta extrema (EUVL), que es necesaria para los nodos de proceso más pequeños. EUVL tiene una longitud de onda mucho más corta, solo 13,5 nanómetros, que el estándar actual, llamado luz ultravioleta profunda, que tiene longitudes de onda de 248 y 193 nanómetros.

«La industria de los semiconductores quiere pasar a funciones cada vez más pequeñas», explica Ashby, y agrega que «también se necesitan materiales fuertes que puedan adaptarse a la resolución que la ultravioleta extrema puede prometer».

Los investigadores de Intel y Berkeley Lab combinaron dos tipos de resistencias en varias concentraciones para crear el nuevo material, que es adecuado para crear modelos de menor tamaño en conjunto con EUVL. A continuación, los investigadores planean optimizar aún más la nueva resistencia para componentes aún más pequeños, hasta el nudo de 10 nanómetros.

El proyecto de investigación fue financiado por Intel, JSR Micro y la Oficina de Ciencias del DOE, todos los cuales están interesados ​​en mantener viva la Ley de Moore durante el mayor tiempo posible.

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